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Contraintes résiduelles de relaxation dans la croissance hétéroépitaxiale des films minces

Residual stresses relaxation in heteroepitaxial growth of thin film


Aziz SOUFI
University of Hassan 1st - National school of Applied Sciences of Khouribga - Laboratory of Nanosciences and Modeling - Khouribga
Morocco

Khalil El-Hami
University of Hassan 1st - Faculty of Khouribga -Laboratory of Nanosciences and Modeling - Khouribga
Morocco



Publié le 3 novembre 2017   DOI : 10.21494/ISTE.OP.2017.0182

Résumé

Abstract

Mots-clés

Keywords

La dynamique de la nucléation des dislocations des dipôles de bord à partir des zones latérales libres, à proximité des interfaces entre le substrat et la couche mince du film obtenues par croissance hétéroépitaxiale est discutée. La méthode d’analyse utilise la superposition des dislocations d’image et de la distribution des forces de surface de Boussinesq. Le calcul théorique est effectué en utilisant la méthode du gradient conjugué et le code Mathematica. Ce travail montre comment la stabilité des dislocations de bord, disloquées à partir de la surface latérale, est très importante pour évacuer les déformations entre les paramètres des mailles.

The dynamic of edge dipoles dislocations nucleation’s from free lateral areas, near the thin film-substrate interfaces obtained by heteroepitaxial growth is discussed. The analysis method uses the superposition of image dislocations and Boussinesq surface forces distribution. The theoretical calculation is carried out using the conjugate gradient method and Mathematica code. This work reveals how the stability of edge dislocations dipoles, nucleated from lateral surface is very important to evacuate strains Misfit between mesh parameters.

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