TY  - Type of reference 
TI  - Contraintes résiduelles de relaxation dans la croissance hétéroépitaxiale des films minces 
AU  - Khalil El-Hami 
AU  - Aziz SOUFI 
AB  - La dynamique de la nucléation des dislocations des dipôles de bord à partir des zones latérales libres, à
proximité des interfaces entre le substrat et la couche mince du film obtenues par croissance hétéroépitaxiale est
discutée. La méthode d’analyse utilise la superposition des dislocations d’image et de la distribution des forces de surface
de Boussinesq. Le calcul théorique est effectué en utilisant la méthode du gradient conjugué et le code Mathematica. Ce
travail montre comment la stabilité des dislocations de bord, disloquées à partir de la surface latérale, est très importante
pour évacuer les déformations entre les paramètres des mailles. 
DO  - 10.21494/ISTE.OP.2017.0182 
JF  - Incertitudes et fiabilité des systèmes multiphysiques 
KW  - hétéroépitaxie,  film mince,  dislocation de l’interface,  forces de l’image,  forces de Boussinesq,  dipôle de dislocation, heteroepitaxy,  thin film,  interface dislocation,  image forces,  Boussinesq forces,  dislocation dipole,  
L1  - https://www.openscience.fr/IMG/pdf/iste_incertfia17v2n9.pdf 
LA  - fr 
PB  - ISTE OpenScience 
DA  - 2017/11/3 
SN  - 2514-569X 
TT  - Residual stresses relaxation in heteroepitaxial growth of thin film 
UR  - https://www.openscience.fr/Contraintes-residuelles-de-relaxation-dans-la-croissance-heteroepitaxiale-des 
IS  - Numéro 2 
VL  - 1 
ER  -