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Composants nanoélectroniques

Nanoelectronic Devices




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Objectifs de la revue

Aims and scope

Composants nanoélectroniques couvre les sujets suivants :

– Composants FD-SOI
– Composants Multi-Grilles sur substrats de Si massif ou sur isolant
– Composants à base de structures 1D
– Composants à base de structures 2D
– Composants Multi-Canaux
– Composants Small-Slope-Switches
– Composants très faible consommation
– Matériaux alternatifs pour les canaux des composants nanoélectroniques
– Conception, technologie, intégration, modélisation, simulation numérique
et caractérisation des composants nanoélectroniques
– Conception de circuits basés sur les composants nanoélectroniques
– Mémoires Non-Volatiles, DRAM, SRAM basées sur un stockage de charges
ou une variation de résistance (PCRAM, RRAM, MRAM)

Nanoelectronic Devices covers the following subjects :

 

– FD-SOI Devices
– Multi-Gate devices on bulk or insulator substrates
– 1D Devices (Nanowires, Carbon Nanotubes, etc.)
– 2D channel Devices
– Multi-channel Devices
– Small Slope Switches Devices (Tunnel FET, FeFET, NEMS, etc.)
– Ultra low power Devices
– Nanodevices with alternative channel materials
– Design, technology, integration, modelling, numerical simulation
of Nanoelectronic devices
– Circuit design based on nanoelectronic devices
– Charge-based and non-charge based (PCRAM, RRAM, MRAM)
DRAM, SRAM, and Non-Volatile Memories

Comité de rédaction


Rédacteur en chef

Francis BALESTRA
CNRS-Grenoble INP-Minatec
francis.balestra@imep.grenoble-inp.fr


Membres du comité

Frédéric ALLIBERT
SOITEC, Grenoble
frederic.allibert@soitec.com

Robert BAPTIST
LETI-CEA, Grenoble
robert.baptist@cea.fr

Olivier THOMAS
LETI-CEA, Grenoble
olivier.thomas@cea.fr
 


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