exit

Physique   > Accueil   > Revue

Composants nanoélectroniques

Nanoelectronic Devices




CompoNano - ISSN 2516-3914 - © ISTE Ltd

Objectifs de la revue

Aims and scope

Composants nanoélectroniques couvre les sujets suivants :

– Composants FD-SOI
– Composants Multi-Grilles sur substrats de Si massif ou sur isolant
– Composants à base de structures 1D
– Composants à base de structures 2D
– Composants Multi-Canaux
– Composants Small-Slope-Switches
– Composants très faible consommation
– Matériaux alternatifs pour les canaux des composants nanoélectroniques
– Conception, technologie, intégration, modélisation, simulation numérique
et caractérisation des composants nanoélectroniques
– Conception de circuits basés sur les composants nanoélectroniques
– Mémoires Non-Volatiles, DRAM, SRAM basées sur un stockage de charges
ou une variation de résistance (PCRAM, RRAM, MRAM)

Nanoelectronic Devices covers the following subjects :

 

– FD-SOI Devices
– Multi-Gate devices on bulk or insulator substrates
– 1D Devices (Nanowires, Carbon Nanotubes, etc.)
– 2D channel Devices
– Multi-channel Devices
– Small Slope Switches Devices (Tunnel FET, FeFET, NEMS, etc.)
– Ultra low power Devices
– Nanodevices with alternative channel materials
– Design, technology, integration, modelling, numerical simulation
of Nanoelectronic devices
– Circuit design based on nanoelectronic devices
– Charge-based and non-charge based (PCRAM, RRAM, MRAM)
DRAM, SRAM, and Non-Volatile Memories

Numéros parus

2018

Volume 18- 1

Tunnel FETs

Derniers articles parus

FET à effet Tunnel pour les Nanocomposants ultra basse puissance

Future ICs are facing dramatic challenges in performance as well as static and dynamic power consumption, which could be overcome using disruptive concepts, device architectures, technologies and materials. Promising (...)


Effets limitant la performance des FET Tunnel

In this paper a two-dimensional analytical Tunnel-FET model is revised. It is used to evaluate performance enhancing measures for the TFET regarding device geometry and physical effects. The usage of hetero-junctions is (...)


Comité de rédaction


Rédacteur en chef

Francis BALESTRA
CNRS-Grenoble INP-Minatec
francis.balestra@imep.grenoble-inp.fr


Membres du comité

Frédéric ALLIBERT
SOITEC, Grenoble
frederic.allibert@soitec.com

Robert BAPTIST
LETI-CEA, Grenoble
robert.baptist@cea.fr

Olivier THOMAS
LETI-CEA, Grenoble
olivier.thomas@cea.fr
 


  Proposer un article