TY - Type of reference TI - Modélisation semi-analytique et numérique de la conduction thermique au sein d’un transistor MOSFET AU - Ali El Arabi AU - Nicolas Blet AU - Benjamin Rémy AU - Denis Maillet AB - Un modèle thermique semi-analytique d’un transistor MOSFET en régime instationnaire est présenté. Il permet le calcul de la température de la face supérieure du composant à partir de celle sur la face inférieure et du flux de chaleur sur la face supérieure. La méthode des quadripôles thermiques est employée et une conversion de spectre est utilisée pour gérer les interfaces entre les différentes couches du composant. Pour une géométrie bidimensionnelle, la comparaison des résultats du modèle semi-analytique à des résultats numériques (sous COMSOL Multiphysics) montre un écart maximal inférieur à 0.1 K pour une dynamique de 45 K en 80 secondes et permet une inter-validation des modèles. DO - 10.21494/ISTE.OP.2023.1016 JF - Entropie : thermodynamique – énergie – environnement – économie KW - Conduction, température de jonction, quadripôles thermiques, MOSFET, Heat conduction, Junction temperature, thermal quadrupoles, MOSFET, L1 - http://www.openscience.fr/IMG/pdf/iste_entropie23v4n3_3.pdf LA - fr PB - ISTE OpenScience DA - 2023/10/19 SN - 2634-1476 TT - A semi-analytical and numerical model of thermal conduction of a transistor using the thermal quadrupoles method UR - http://www.openscience.fr/Modelisation-semi-analytique-et-numerique-de-la-conduction-thermique-au-sein-d IS - Numéro 3 spécial SFT Prix Biot-Fourier
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