TY - Type of reference TI - Optimisation thermique du transistor à haute mobilité d’électron (HEMT) par la méthode CMA-ES AU - Radi Bouchaib AU - Amar Abdelhamid AU - Hamdani Hamid AU - El Hami Abdelkhalak AB - L’optimisation vise à assurer une conception robuste des systèmes avec un cout minimal, ce travail s’intéresse à l’optimisation du transistor à haute mobilité d’électrons (HEMT), il est un élément très important dans les systèmes mécatroniques à haute puissance. Il contient dans sa structure plusieurs couches de matériaux, les paramètres géométriques et thermiques de ces couches influencent la température de fonctionnement du transistor, d’où sur sa performance. En utilisant la méthode de CMA-ES codée sur Matlab, un modèle éléments finis développé sur Comsol multiphysics et un couplage entre les deux logiciels, on a optimisé ces paramètres afin de réduire la température maximale du fonctionnement du HEMT, pour que le transistor assurent sa fonction avec moins d’influence sur les autres caractéristiques. DO - 10.21494/ISTE.OP.2020.0570 JF - Incertitudes et fiabilité des systèmes multiphysiques KW - Optimisation, HEMT, CMA-ES, systèmes mécatroniques, Optimization, HEMT, CMA-ES, Mecatronics systems, L1 - http://www.openscience.fr/IMG/pdf/iste_incertfia20v4n1_2.pdf LA - fr PB - ISTE OpenScience DA - 2020/09/25 SN - 2514-569X TT - Thermal optimization of the high electron mobility transistor (HEMT) using the CMA-ES method UR - http://www.openscience.fr/Optimisation-thermique-du-transistor-a-haute-mobilite-d-electron-HEMT-par-la IS - Numéro 1 VL - 4 ER -