Residual stresses relaxation in heteroepitaxial growth of thin film

The dynamic of edge dipoles dislocations nucleation’s from free lateral areas, near the thin film-substrate
interfaces obtained by heteroepitaxial growth is discussed. The analysis method uses the superposition of image
dislocations and Boussinesq surface forces distribution. The theoretical calculation is carried out using the conjugate
gradient method and Mathematica code. This work reveals how the stability of edge dislocations dipoles, nucleated from
lateral surface is very important to evacuate strains Misfit between mesh parameters.

La dynamique de la nucléation des dislocations des dipôles de bord à partir des zones latérales libres, à
proximité des interfaces entre le substrat et la couche mince du film obtenues par croissance hétéroépitaxiale est
discutée. La méthode d’analyse utilise la superposition des dislocations d’image et de la distribution des forces de surface
de Boussinesq. Le calcul théorique est effectué en utilisant la méthode du gradient conjugué et le code Mathematica. Ce
travail montre comment la stabilité des dislocations de bord, disloquées à partir de la surface latérale, est très importante
pour évacuer les déformations entre les paramètres des mailles.

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